SONY TA-N86 ￥90,000(1978年発売) A-class
型式 パワーアンプ 回路方式 全段直結ピュアコンプリメンタリーSEPP OCL 3段差動電圧増幅段、3段ダーリントン電力増幅段 実効出力 (20Hz～20kHz、両ch動作) A級動作時:18W+18W(8Ω) B級動作時:80W+80W(8Ω) モノラルアンプ動作時:200W(8Ω) SN比 120dB以上(クローズドサーキット、Aネットワーク) 高調波歪率 20Hz～20kHz 5Hz～50kHz 実効出力時 10W出力時 1W出力時 A級: B級: mono: A級: B級: mono: A級: B級: mono: 0.007% 0.007% 0.015% 0.0025% 0.0035% 0.008% 0.001% 0.003% 0.008% 0.02% 0.02% 0.07% 0.005% 0.007% 0.03% 0.006% 0.007% 0.025% ※1W出力時の歪率は、ノイズ成分を除去し、スペクトラムアナライザーで測定。 混変調歪率 (60Hz:7kHz＝4:1) 実効出力時 10W出力時 1W出力時 A級: B級: mono: A級: B級: mono: A級: B級: mono: 0.004% 0.004% 0.005% 0.002% 0.003% 0.004% 0.002% 0.003% 0.004% 出力帯域幅特性 5Hz～45kHz(B級動作時、IHF、8Ω) 5Hz～60kHz(A級動作時、IHF、8Ω) 5Hz～30kHz(モノラル動作時、IHF、8Ω) ダンピングファクター 70(1kHz、8Ω) 残留雑音 25μV(8Ω、Aネットワーク) 周波数特性 DC～200kHz +0 -1dB(Direct端子) 7Hz～200kHz ±1dB(C-Coupled端子) ゲイン A級:27.4dB B級:27.4dB mono:33.4dB 入力感度 1.1V(B級実効出力時) インピーダンス 50kΩ 出力端子 Speaker B級動作:4Ω～16Ωに適合 A級、モノラル動作:8Ω～16Ωのスピーカーに適合 使用半導体 トランジスタ:63個 ダイオード:54個 FET:4個 電源 100V、50Hz/60Hz 消費電力 180W 外形寸法 幅480x高さ80x奥行360mm 重量 8.0kg パルス電源やHi-fTトランジスタなどの最新技術を投入して開発されたステレオパワーアンプ。 低音域の位相回転による原音波形の崩れと、高音域の過渡応答特性低下に伴なう倍音成分の再現性劣化を改善するため、DCアンプの充実とHi-fTトランジスタの開発という2つの手段で音質向上を図っています。 初段には、ソニー独自の半導体技術を生かして開発された温度ドリフトの非常に少ないデュアルFETを使用しており、DCアンプで問題となる動作点を安定させています。 パワートランジスタにはHi-fTトランジスタを採用しています。 バイポーラトランジスタは大電力を扱うほど高域の信号に対する応答特性が悪くなる傾向があります。これはスイッチング歪を発生させ高音のクオリティを損なう原因となります。この点を改善するため、細かいライン状のパターンをとったHi-fTトランジスタを開発し、大電力にも充分な安定動作を可能にしています。このHi-fTトランジスタは高域応答特性の良い小電力トランジスタを無数に集積したようなもので、遮断周波数は従来の4MHz～20MHzに対して60MHz以上まで伸び、高域応答速度が非常に早くなっています。これにより高域の再現性も向上しています。 電圧増幅段は3段差動DCアンプ構成となっています。 この回路ではNFをかける以前の裸特性の向上を追求しており、歪率を極めて少なくしています。また、ゲインも十分にとれるためNFループにおける歪も低減されています。さらに初段(ソース側)と次段(エミッタ側)にはインピーダンスの大きい定電流回路を挿入し、電源電流の変動を抑えて音質向上を図っています。 電力増幅段は3段ダーリントンDCアンプ構成となっています。 一般に電圧増幅段・中段で大きなゲインを得るためには、トランジスタの負荷抵抗を大きくする必要があります。その場合、電力増幅段の入力インピーダンスが充分高くなければなりません。ダーリントン接続ではトランジスタの内部抵抗が実質的に2倍となるため、電圧増幅段・中段の能力を活かすことができています。 電源部には4年の開発期間を経て誕生したパルス電源を採用しています。 パルス電源は、AC100Vをダイレクト整流して20kHzのパルスに変換し、高周波トランスで降圧したのち再整流する構造となっています。この方式では電圧変動が少なくなっていますがTA-N86ではさらにパルス幅制御定電圧回路を併用することで徹底を図っています。パルス幅制御定電圧回路では電圧変動をパルス幅の変化に変換しており、このパルス波形と逆の形に1次整流回路で得られたDCをON-OFFすることで変動分がキャンセルされた電圧を得ています。これにより電圧変動率を1%以下に抑えています。 パルス電源ではAC100Vはアンプに入ったとたんにDC化されるため、50Hz/60Hz AC電源による磁気漏れが基本的にありません。このため、ハムによる信号系の干渉は皆無となっています。また、パルス整流方式では整流しただけでほぼ直流状態となり、脈流成分は直流をパルス変換するトランジスタのスイッチングタイム分だけとなり、脈流成分はほぼゼロとなっています。 A級動作、B級動作、モノラル動作の切換えが可能です。 A級とB級の切換えには、バイアス電流の供給の仕方をリレー回路で変える設計を採用しており、簡単にA級/B級切換えが可能です。また、プリント基板上の適切な位置にリードリレーを設け、リアパネルのスイッチリモートコントロールする構造にすることで、信号経路の最短化を図っています。 内部コンストラクションは左右チャンネルの信号系を分離したツインモノ構成となっており、相互干渉による音質劣化を抑えています。
型式 パワーアンプ 回路方式 全段直結ピュアコンプリメンタリーSEPP OCL 3段差動電圧増幅段、3段ダーリントン電力増幅段 実効出力 (20Hz～20kHz、両ch動作) A級動作時:18W+18W(8Ω) B級動作時:80W+80W(8Ω) モノラルアンプ動作時:200W(8Ω) SN比 120dB以上(クローズドサーキット、Aネットワーク) 高調波歪率 20Hz～20kHz 5Hz～50kHz 実効出力時 10W出力時 1W出力時 A級: B級: mono: A級: B級: mono: A級: B級: mono: 0.007% 0.007% 0.015% 0.0025% 0.0035% 0.008% 0.001% 0.003% 0.008% 0.02% 0.02% 0.07% 0.005% 0.007% 0.03% 0.006% 0.007% 0.025% ※1W出力時の歪率は、ノイズ成分を除去し、スペクトラムアナライザーで測定。 混変調歪率 (60Hz:7kHz＝4:1) 実効出力時 10W出力時 1W出力時 A級: B級: mono: A級: B級: mono: A級: B級: mono: 0.004% 0.004% 0.005% 0.002% 0.003% 0.004% 0.002% 0.003% 0.004% 出力帯域幅特性 5Hz～45kHz(B級動作時、IHF、8Ω) 5Hz～60kHz(A級動作時、IHF、8Ω) 5Hz～30kHz(モノラル動作時、IHF、8Ω) ダンピングファクター 70(1kHz、8Ω) 残留雑音 25μV(8Ω、Aネットワーク) 周波数特性 DC～200kHz +0 -1dB(Direct端子) 7Hz～200kHz ±1dB(C-Coupled端子) ゲイン A級:27.4dB B級:27.4dB mono:33.4dB 入力感度 1.1V(B級実効出力時) インピーダンス 50kΩ 出力端子 Speaker B級動作:4Ω～16Ωに適合 A級、モノラル動作:8Ω～16Ωのスピーカーに適合 使用半導体 トランジスタ:63個 ダイオード:54個 FET:4個 電源 100V、50Hz/60Hz 消費電力 180W 外形寸法 幅480x高さ80x奥行360mm 重量 8.0kg パルス電源やHi-fTトランジスタなどの最新技術を投入して開発されたステレオパワーアンプ。 低音域の位相回転による原音波形の崩れと、高音域の過渡応答特性低下に伴なう倍音成分の再現性劣化を改善するため、DCアンプの充実とHi-fTトランジスタの開発という2つの手段で音質向上を図っています。 初段には、ソニー独自の半導体技術を生かして開発された温度ドリフトの非常に少ないデュアルFETを使用しており、DCアンプで問題となる動作点を安定させています。 パワートランジスタにはHi-fTトランジスタを採用しています。 バイポーラトランジスタは大電力を扱うほど高域の信号に対する応答特性が悪くなる傾向があります。これはスイッチング歪を発生させ高音のクオリティを損なう原因となります。この点を改善するため、細かいライン状のパターンをとったHi-fTトランジスタを開発し、大電力にも充分な安定動作を可能にしています。このHi-fTトランジスタは高域応答特性の良い小電力トランジスタを無数に集積したようなもので、遮断周波数は従来の4MHz～20MHzに対して60MHz以上まで伸び、高域応答速度が非常に早くなっています。これにより高域の再現性も向上しています。 電圧増幅段は3段差動DCアンプ構成となっています。 この回路ではNFをかける以前の裸特性の向上を追求しており、歪率を極めて少なくしています。また、ゲインも十分にとれるためNFループにおける歪も低減されています。さらに初段(ソース側)と次段(エミッタ側)にはインピーダンスの大きい定電流回路を挿入し、電源電流の変動を抑えて音質向上を図っています。 電力増幅段は3段ダーリントンDCアンプ構成となっています。 一般に電圧増幅段・中段で大きなゲインを得るためには、トランジスタの負荷抵抗を大きくする必要があります。その場合、電力増幅段の入力インピーダンスが充分高くなければなりません。ダーリントン接続ではトランジスタの内部抵抗が実質的に2倍となるため、電圧増幅段・中段の能力を活かすことができています。 電源部には4年の開発期間を経て誕生したパルス電源を採用しています。 パルス電源は、AC100Vをダイレクト整流して20kHzのパルスに変換し、高周波トランスで降圧したのち再整流する構造となっています。この方式では電圧変動が少なくなっていますがTA-N86ではさらにパルス幅制御定電圧回路を併用することで徹底を図っています。パルス幅制御定電圧回路では電圧変動をパルス幅の変化に変換しており、このパルス波形と逆の形に1次整流回路で得られたDCをON-OFFすることで変動分がキャンセルされた電圧を得ています。これにより電圧変動率を1%以下に抑えています。 パルス電源ではAC100Vはアンプに入ったとたんにDC化されるため、50Hz/60Hz AC電源による磁気漏れが基本的にありません。このため、ハムによる信号系の干渉は皆無となっています。また、パルス整流方式では整流しただけでほぼ直流状態となり、脈流成分は直流をパルス変換するトランジスタのスイッチングタイム分だけとなり、脈流成分はほぼゼロとなっています。 A級動作、B級動作、モノラル動作の切換えが可能です。 A級とB級の切換えには、バイアス電流の供給の仕方をリレー回路で変える設計を採用しており、簡単にA級/B級切換えが可能です。また、プリント基板上の適切な位置にリードリレーを設け、リアパネルのスイッチリモートコントロールする構造にすることで、信号経路の最短化を図っています。 内部コンストラクションは左右チャンネルの信号系を分離したツインモノ構成となっており、相互干渉による音質劣化を抑えています。