Модули силовые Infineon - BSM50GX120DN2, BSM75GB120DN2, FZ1800R12KL4C

1. https://olnisa.ru/sklad/modul/bsm50gx120dn2-modul-infineon/ BSM50GX120DN2 Модуль силовой Infineon. Внутренняя схема GBL, B6U Кол-во ключей в модуле 7 Напряжение К-Э 1200В Рабочий ток при 25°C 80А 2. https://olnisa.ru/sklad/modul/bsm75gb120dn2-silovoj-modul-infineon/ BSM75GB120DN2 Модуль силовой Infineon. Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 105 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 625 Рабочая температура (Tj), °C +150(max) Корпус HALF-BRIDGE 1 Вес, г 250 3. https://olnisa.ru/sklad/modul/fz1800r12kl4c-modul-silovoj-infineon/ FZ1800R12KL4C Модуль силовой Infineon. Модуль силовой, биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1800A SINGLE. Конфигурация Triple Common Emitter Common Gate. Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V. Непрерывный коллекторный ток при 25 C 2850 A. Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA. Рассеяние мощности 11.4 KW. Максимальная рабочая температура + 125 C. Упаковка / блок IHM190. Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V. Минимальная рабочая температура - 40 C. Вид монтажа SMD/SMT. Размер фабричной упаковки 8.